1. NSV60600MZ4T3G
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厂商型号

NSV60600MZ4T3G 

产品描述

Trans GP BJT PNP 60V 6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

内部编号

277-NSV60600MZ4T3G

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:3300
1+¥2.2344
25+¥2.0804
100+¥2.0033
500+¥1.9262
1000+¥1.8492
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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NSV60600MZ4T3G产品详细规格

规格书 NSV60600MZ4T3G datasheet 规格书
NSV60600MZ4
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 4,000
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 6A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 60V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 350mV @ 600mA, 6A
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 120 @ 1A, 2V
功率 - 最大 800mW
频率转换 100MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装 SOT-223
包装材料 Tape & Reel (TR)
集电极最大直流电流 6
最小直流电流增益 150@500mA@2V|120@1A@2V|100@2A@2V|...
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-223
最低工作温度 -55
最大功率耗散 2000
最大基地发射极电压 6
Maximum Transition Frequency 100(Min)
封装 Tape and Reel
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 100
供应商封装形式 SOT-223
筛选等级 Automotive
最大集电极发射极电压 60
类型 PNP
引脚数 4
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 6A
晶体管类型 PNP
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 100MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 350mV @ 600mA, 6A
标准包装 4,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 60V
供应商设备封装 SOT-223
功率 - 最大 800mW
封装/外壳 TO-261-4, TO-261AA
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 120 @ 1A, 2V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
集电极 - 发射极饱和电压 - 50 mV
直流电流增益hFE最大值 360
晶体管极性 PNP
安装风格 SMD/SMT
系列 NSS60600
品牌 ON Semiconductor
Pd - Power Dissipation 710 mW
增益带宽产品fT 100 MHz
集电极 - 发射极最大电压VCEO - 60 VDC
发射极 - 基极电压VEBO - 6 VDC
集电极 - 基极电压VCBO - 100 V
最低工作温度 - 55 C
集电极最大直流电流 - 12 A
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
直流集电极/增益hfe最小值 120
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 - 6 A

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